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BF720T1G中文资料

BF720T1G图片

BF720T1G外观图

  • 大小:58.4KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:300V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):50V; Power Dissipation, Pd:1.5W; DC Current Gain Min (hfe):50; Package/Case:SOT-223 ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):300V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,30mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):50 @ 25mA,20V
  • 功率 - 最大:1.5W
  • 频率 - 转换:60MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装:SOT-223
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:BF720T1GOSTR

BF720T1G供应商

更新时间:2023-01-04 05:55:16
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